Transphorm veröffentlicht zwei Referenzdesigns für Batterieladegeräte, die ideal für zwei- und dreirädrige Elektrofahrzeuge sind
November 30 2023 - 12:28PM
Business Wire
Neue Design-Tools erm�glichen schnelleres
Wachstum von Design-Ins für den Zweiradmarkt und helfen
Systemingenieuren, die Vorteile von SuperGaN-FETs zu nutzen
Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweit führender Anbieter
von robusten GaN-Leistungshalbleitern, gab heute die Verfügbarkeit
von zwei neuen Referenzdesigns für Ladeanwendungen bei
Elektrofahrzeugen („EV“) bekannt. Die 300-W- und
600-W-Konstantstrom-/Konstantspannungs-Batterieladegeräte (CC/CV)
verwenden die 70- und 150-Milliohm-SuperGaN®-Bauelemente des
Unternehmens, um eine hocheffiziente AC/DC-Leistungsumwandlung mit
hoher Leistungsdichte zu wettbewerbsfähigen Kosten zu erm�glichen.
Die Referenzdesigns sollen die Großserienproduktion von Ladegeräten
für 2- und 3-Rad-Elektrofahrzeuge erm�glichen, von denen in Indien
und China jährlich über 14 Millionen bzw. über 45 Millionen
verkauft werden. Die Referenzdesigns k�nnen zudem für eine Vielzahl
von Anwendungen genutzt werden, darunter Schnellladegeräte,
dimmbare LED-Treiber, Spielekonsolen und Hochleistungs-Laptops.
„Die Einführung von GaN auf dem EV-Markt schreitet schnell
voran. Das liegt vor allem an der hohen Leistungsdichte der
Technologie, die im Vergleich zu alternativen Optionen wie
Siliziumkarbid oder Silizium kosteneffizient und mit hoher Ausbeute
hergestellt werden kann“, so Tushar Dhayagude, Vice President of
Worldwide Sales and FAE, Transphorm. „Insbesondere unsere
SuperGaN-Bauelemente haben sich in Zwei- und Dreiradfahrzeugen
durchgesetzt, da sie diese Vorteile zusammen mit den
Kostenvorteilen auf System- und Bauelementebene gegenüber
ausgewählten Siliziuml�sungen aufweisen. Wir freuen uns, auf der
Grundlage von Kundenanfragen Referenzdesigns zu ver�ffentlichen,
die Herstellern von On- und Off-Board-Ladegeräten dabei helfen
k�nnen, die Markteinführung von GaN-basierten Systemen zu
beschleunigen, die die Leistung und die allgemeine Nutzbarkeit von
Fahrzeugen der nächsten Generation erh�hen k�nnen.“
Was ist CC/CV?
Das Ladeverfahren für Lithium-Ionen-Batterien mit konstantem
Strom und konstanter Spannung (CC/CV) verwendet in der Anfangsphase
des Ladevorgangs einen konstanten Strom und schaltet in späteren
Phasen des Ladevorgangs auf eine konstante Spannung um, wenn die
Batterie den definierte Ladezustand erreicht hat. Dadurch wird
sichergestellt, dass die Batterien nicht überladen werden.
Open-Frame CC/CV AC-zu-DC-Batterieladegeräte
Die 300-W- und 600-W-Referenzdesigns kombinieren die
SuperGaN-FETs und Controller in den beliebten
Leistungsfaktorkorrektur- (PFC) und resonanten LLC-Topologien,
wobei die LLC speziell für einen breiten Batteriebereich (von leer
bis voll geladen) ausgelegt ist. Die SuperGaN-Plattform von
Transphorm erm�glicht es Entwicklern von Stromversorgungssystemen,
das Leistungspotenzial von PFC+LLC zu maximieren und den
h�chstm�glichen Wirkungsgrad dieser Topologien zu
wettbewerbsfähigen Kosten zu erzielen.
Die Referenzdesigns verwenden rein analoge Controller im
Gegensatz zu digitalen Controllern, die Firmware ben�tigen. Diese
Konfiguration bietet mehrere Vorteile, wie z. B. leichtere
Konstruierbarkeit und vereinfachte Produktentwicklung durch:
- Geringeren Bedarf an Entwicklungsressourcen
- Reduzierte Entwicklungszeit
- Eine potenziell komplexe Firmware-Programmierung/Wartung
entfällt
Hinweis: Das 300-W-Referenzdesign verfügt über einen
zusätzlichen PWM-Eingang für die Anforderung von
Ausgangsstrompegeln, die unter dem Nennwert liegen, und bietet
damit weitere Flexibilität für alle Batterietypen.
Die Hauptmerkmale:
Referenzdesign
TDAIO-TPH-ON-CCCV-300W-RD
TDAIO-TPH-MPS-CCCV-600W-RD
VAC
90 bis 264
90 bis 264
Wattleistung
300
600
SuperGaN FET(s)
TP65H070G4PS x 3
TP65H070G4PS x 1 TP65H150G4PS x
2
Treiber
NCP1654 PFC (onsemi) NCP1399 LLC
(onsemi)
HR1211 (MPS)
Spitzenwirkungsgrad
95 % bei 264 VAC
94,4% bei 264 VAC
Schaltfrequenz
Bis zu 150 kHz
Bis zu 120 kHz
Dabei kommen die SuperGaN-FETs von Transphorm in den
Referenzdesigns zum Einsatz, die für ihre herausragenden Vorteile
bekannt sind:
- Branchenführende Zuverlässigkeit mit einer Gate-Schwelle von
+/-20 V und einer St�rfestigkeit von 4 V
- Einfachere Konstruierbarkeit durch Reduzierung des
Schaltaufwands rund um das Gerät
- Einfachere Ansteuerbarkeit, da FETs mit bekannten,
handelsüblichen Treibern gekoppelt werden k�nnen, die für
Siliziumbauteile üblich sind
Zugängliche Referenzdesigns
Die kompletten 300-W- und
600-W-CC/CV-Batterieladegeräte-Referenzdesigns sind derzeit bei
Transphorm erhältlich. Besuchen Sie die folgenden Links, um
technische Dokumentation, Designdateien, Firmware und Stücklisten
herunterzuladen:
- TDAIO-TPH-ON-CCCV-300W-RD:
https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tdaio-tph-on-cccv-300w-rd/
- TDAIO-TPH-MPS-CCCV-600W-RD:
https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tdaio-tph-mps-cccv-600w-rd/
Um die Genauigkeit des Designs der oben genannten
Batterieladegeräte zu gewährleisten, sollten Entwickler von
Stromversorgungssystemen auch den folgenden Design-Leitfaden
lesen:
- Constant Current/Constant Voltage (CC/CV) Application for Power
Adaptor with LLC Output Stage:
https://www.transphormusa.com/en/document/design-guide-design-guide-11-constant-current-constant-voltage-application-for-llc/
Weitere Informationen über die in den Design-Tools enthaltenen
SuperGaN-Bauelemente finden Sie unter den folgenden Links:
- TP65H070G4PS 650 V, 72 mOhm GaN FET in einem TO-220-Paket
https://www.transphormusa.com/en/product/tp65h070g4ps/
- TP65H150G4PS 650 V, 150 mOhm GaN FET in einem TO-220-Paket
https://www.transphormusa.com/en/product/tp65h150g4ps/
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der
GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und
hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler.
Mit einem der gr�ßten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000
eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die
branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten
Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des
Unternehmens für vertikal integrierte Geräte f�rdert Innovationen
in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte-
und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm
bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium
hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 %
h�here Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm
hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und
betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere
Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf
Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von
Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer
jeweiligen Inhaber.
Die Ausgangssprache, in der der Originaltext ver�ffentlicht
wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen
werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die
Sprachversion, die im Original ver�ffentlicht wurde, ist
rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen
Sprachversion der Ver�ffentlichung ab.
Originalversion auf businesswire.com
ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20231130067927/de/
Pressekontakt: Heather Ailara +1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com Investorenkontakte: David
Hanover oder Jack Perkins KCSA Strategic Communications
transphorm@kcsa.com
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Historical Stock Chart
From Apr 2024 to May 2024
Transphorm (NASDAQ:TGAN)
Historical Stock Chart
From May 2023 to May 2024