Transphorm stellt zwei 4-polige TO-247-Bauelemente vor und erweitert damit sein Produktportfolio für die Bereiche Hochleistungsserver, erneuerbare Energien und industrielle Energieumwandlung
January 17 2024 - 12:42PM
Business Wire
Neue FETs dienen als Original-Design-in-Option
oder Drop-in-Ersatz für SiC
Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende Anbieter
von robusten GaN-Leistungshalbleitern, gab heute die Verfügbarkeit
von zwei neuen SuperGaN®-Bauelementen in einem 4-poligen
TO-247-Gehäuse (TO-247-4L) bekannt. Die neuen FETs TP65H035G4YS und
TP65H050G4YS bieten einen Durchlasswiderstand von 35 mOhm bzw. 50
mOhm und verfügen über einen Kelvin-Source-Anschluss, der den
Kunden vielseitige Schaltm�glichkeiten bei noch geringeren
Energieverlusten bietet. Die neuen Produkte werden in dem bewährten
GaN-on-Silicon-Substrat-Herstellungsprozess von Transphorm
gefertigt, der sich durch seine Kosteneffizienz und Zuverlässigkeit
auszeichnet und gut für die Großserienfertigung auf
Silizium-Produktionslinien geeignet ist. Der 50-mOhm-FET
TP65H050G4YS ist bereits erhältlich, während der 35-mOhm-FET
TP65H035G4YS derzeit bemustert wird und im ersten Quartal 2024 auf
den Markt kommen soll.
Die 4-poligen SuperGaN-Bauelemente von Transphorm k�nnen als
Original-Design-in-Option oder als Drop-in-Ersatz für 4-polige
Silizium- und SiC-L�sungen dienen, die Stromversorgungen mit 1
Kilowatt und mehr in einer Vielzahl von Anwendungen in
Rechenzentren, im Bereich der erneuerbaren Energien und in der
Industrie unterstützen. Wie bereits erwähnt, bietet die 4-polige
Konfiguration den Nutzern die Flexibilität, noch bessere
Schaltleistungen zu erzielen. In einem hart geschalteten synchronen
Aufwärtswandler verringerte der 4-polige SuperGaN-FET mit 35 mOhm
die Verluste bei 50 Kilohertz (kHz) um 15 Prozent und bei 100 kHz
um 27 Prozent, verglichen mit einem SiC-MOSFET-Bauelement mit
vergleichbarem Durchlasswiderstand.
Die SuperGaN-FETs von Transphorm sind für ihre besonderen
Vorteile bekannt, beispielsweise:
- Branchenführende Robustheit mit einer Gate-Schwellenspannung
von +/- 20 V und einer St�rfestigkeit von 4 V.
- Einfachere Designbarkeit durch Verringerung der erforderlichen
Beschaltung des Bauelements.
- Einfachere Steuerbarkeit, da FETs mit bekannten,
handelsüblichen Treibern für Siliziumbauelemente kombinierbar
sind.
Die TO-247-4L-Bauteile bieten die gleiche Robustheit,
Designbarkeit und Steuerbarkeit und haben folgende
Kernspezifikationen:
Teilenummer
Vds (V) min
Rds(on) (mΩ) typ
Vth (V) typ
Id (25°C) (A) max
Gehäusevariante
TP65H035G4YS
650
35
3,6
46,5
Source
TP65H050G4YS
650
50
4
35
Source
“Wir werden die Erweiterung unseres Produktportfolios
fortsetzen, um GaN-FETs auf den Markt zu bringen, die den Kunden
helfen, die Leistungsvorteile unserer SuperGaN-Plattform bei allen
ihren Designanforderungen zu nutzen”, sagte Philip Zuk, Senior Vice
President, Business Development and Marketing, bei Transphorm. “Das
vierpolige TO-247-Gehäuse bietet Entwicklern und Kunden, die eine
noch gr�ßere Senkung der Leistungsverluste bei geringfügigen oder
gar keinen Designänderungen in Silizium- oder
Siliziumkarbid-Systemen anstreben, eine hohe Flexibilität. Dies ist
eine wichtige Ergänzung unserer Produktlinie, da wir jetzt in
Anwendungen mit h�heren Leistungen vorstoßen.”
Verfügbarkeit
Muster der 35-mOhm- und 50-mOhm-TO-247-4L-FETs sind auf Anfrage
beim Vertriebsteam von Transphorm unter wwsales@transphormusa.com
erhältlich. Datenblätter für die einzelnen Bauelemente sind unter
den nachstehenden Links zu finden:
- TP65H035G4YS-Datenblatt:
https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/
- TP65H050G4YS-Datenblatt:
https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der
GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und
hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler.
Mit einem der gr�ßten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000
eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die
branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten
Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des
Unternehmens für vertikal integrierte Geräte f�rdert Innovationen
in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte-
und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm
bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium
hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 %
h�here Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm
hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und
betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere
Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Follow us on
Twitter @transphormusa and WeChat at Transphorm_GaN.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von
Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer
jeweiligen Inhaber.
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wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen
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Pressekontakt: Heather Ailara +1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com Investorenkontakte: David
Hanover oder Jack Perkins KCSA Strategic Communications
transphorm@kcsa.com
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